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8th.creator / Shutterstock.com

サムスンの新たなフラッグシップ端末「Galaxy S10」に、大幅にパフォーマンスを向上させたメモリチップが搭載される可能性が出てきた。

サムスンは7月17日、8GBの新型メモリチップ「8Gb LPDDR5 DRAM」を発表した。このチップは10ナノメートルプロセスでの製造により小型化を実現し、5G世代のデバイスで人工知能(AI)を活用したアプリケーションに対応するという。

LPDDR5 DRAMのデータ転送速度は6400Mbpsに達しており、現状のサムスンのフラッグシップモデルに採用の「LPDDR4X」の1.5倍の処理速度を実現したという。この転送速度であれば、51.2GBのデータを1秒で転送可能だという。51.2GBのデータは、1本が3.7GBのフルHD動画14本分の容量に相当する。

サムスンの現行モデルのGalaxy S9とS9+には、それぞれ4GBと6GBのRAMが搭載されている。価格を引き上げた次期モデルのS10やS10+に、さらに大容量の8GBのRAMを搭載するのは理にかなった動きだ。最新チップの採用により、大幅なパフォーマンスの向上が期待できる。

Galaxy S10シリーズの発表に先がけサムスンは8月初旬のイベント「Samsung Unpacked」で、Galaxy Note 9をアナウンスする見込みだ。タイミング的に考えて、今回の新型チップがNote 9に搭載される可能性は低いだろう。

Galaxy S10はこれまでのサムスンの最新端末と同様に、既存のデバイスを上回る処理速度と機能を打ち出すはずだ。今回の8GBのRAMは処理速度を向上させるだけでなく、省電力化も実現している。また、マシンラーニングやAIを用いたソフトウェアの搭載も期待できる。

韓国のニュースサイト「The Bell」は、サムスンが来年1月の「CES」でGalaxy S10シリーズをアナウンスする予定だと報じている。Galaxy S10には前面と背面で合計4つのカメラが搭載され、S10+は5カメラ仕様になるとみられている。

編集=上田裕資

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